Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 25 A 40 W, 8-Pin PDFN56

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

€ 1.765,00

(ohne MwSt.)

€ 2.117,50

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Wird eingestellt
  • Letzte 2 500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +€ 0,706€ 1.765,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
216-9712
Herst. Teile-Nr.:
TSM300NB06DCR
Hersteller:
Taiwan Semiconductor
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Taiwan Semiconductor

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TSM025

Gehäusegröße

PDFN56

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

40W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.2 mm

Höhe

1.15mm

Länge

6.2mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

Verwandte Links