Taiwan Semiconductor TSM025 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 48 W, 8-Pin PDFN56

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RS Best.-Nr.:
216-9706
Herst. Teile-Nr.:
TSM250NB06DCR
Hersteller:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PDFN56

Serie

TSM025

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

25mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Länge

6.1mm

Breite

5.1mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

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