Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 35 A 68 W, 8-Pin PDFN56

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RS Best.-Nr.:
216-9702
Herst. Teile-Nr.:
TSM220NB06CR
Hersteller:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PDFN56

Serie

TSM025

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.2mm

Höhe

1.1mm

Breite

4.2 mm

Normen/Zulassungen

WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

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