Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 107 A 136 W, 8-Pin PDFN56

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RS Best.-Nr.:
216-9660
Herst. Teile-Nr.:
TSM048NB06LCR
Hersteller:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

107A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TSM025

Gehäusegröße

PDFN56

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.5nC

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC

Automobilstandard

Nein

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

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