ROHM Doppelt HP Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 80 A 31 W, 8-Pin HSOP

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RS Best.-Nr.:
215-9752
Herst. Teile-Nr.:
HP8K24TB
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HP

Gehäusegröße

HSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Maximale Verlustleistung Pd

31W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Länge

5mm

Breite

6 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat eine Nennspannung von 30 V. Er hat einen niedrigen Einschaltwiderstand. Er wird hauptsächlich in Schalt- und DC/DC-Wandlern verwendet.

Bleifrei

RoHS-konform

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