Infineon HEXFET Typ N, Typ N-Kanal, Oberfläche, SMD MOSFET 60 V Erweiterung / 48 A 110 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 215-2605
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ44ESTRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
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|---|---|---|
| 20 - 20 | € 1,162 | € 23,24 |
| 40 - 80 | € 1,104 | € 22,08 |
| 100 - 180 | € 1,057 | € 21,14 |
| 200 - 480 | € 1,011 | € 20,22 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2605
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ44ESTRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 48A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche, SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 48A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche, SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die HEXFET der fünften Generation der Infineon-Serie von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand am Siliziumbereich zu erreichen. Diese Vorteile, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bieten dem Designer ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2pack ist ein SMD-Power-Paket, das Matrizen bis HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungsfähigkeit und den niedrigsten möglichen Einschaltwiderstand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse. Das D2pack eignet sich aufgrund seines geringen internen Anschlusswiderstands für Hochstromanwendungen und kann bis zu 2,0 W bei einer typischen Oberflächenmontageanwendung ableiten.
Erweiterte Prozesstechnologie
Vollständig lawinenbeständig
Schnelles Umschalten
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