Infineon N-Kanal-MOSFET OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 50 A 6.25 W, 8-Pin Stromplatine 5x6
- RS Best.-Nr.:
- 215-2466
- Herst. Teile-Nr.:
- BSG0811NDATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
€ 3.960,00
(ohne MwSt.)
€ 4.750,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 5 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | € 0,792 | € 3.960,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2466
- Herst. Teile-Nr.:
- BSG0811NDATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | Stromplatine 5x6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 4.5V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.84V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.25W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | N-Kanal-MOSFET | |
| Länge | 5.1mm | |
| Breite | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße Stromplatine 5x6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 4.5V | ||
Durchlassspannung Vf 0.84V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.25W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration N-Kanal-MOSFET | ||
Länge 5.1mm | ||
Breite 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Höhe 1.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 5 Power Block ist ein bleifreies SMD-Gehäuse in einem 5,0x6,0 mmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmm²-Gehäuse, einschließlich eines Niederspannungs- und eines Hochspannungsseiten-MOSFET in einer synchronen Abwärtswandlerkonfiguration. Durch den Austausch von zwei separaten diskreten Gehäusen wie SO8 oder SuperSO8 durch den OptiMOS 5 Power Block können Kunden ihre Designs um bis zu 85 % schrumpfen. Die Standardisierung von Leistungspaketen kommt dem Kunden zugute, da die Anzahl der verschiedenen auf dem Markt erhältlichen Gehäuseumrisse minimiert wird.
50 A max. Durchschnittlicher Laststrom
Low-Side-MOSFET für bessere Leiterplattenkühlung
Intern verbunden Niederspannungsseite und Hochspannungsseite (niedrigste Schleifeninduktivität)
High-Side-Kelvin-Anschluss für effizienteres Fahren