Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A, 7-Pin D2PAK (TO-263)

Der Infineon Automotive DirectFET ® Power MOSFET verfügt über eine maximale Ableitquellspannung von 60 V mit einem maximalen Dauerablassstrom von 68 A in einem 7-poligen D2-Pak Gehäuse. Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt und nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand im par Silizium-Bereich zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieser Designs sind 175 °C Sperrschicht-Betriebstemperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und Verbesserung der sich wiederholenden Lawineneinstufung. Diese Funktion kombiniert, um dieses Produkt zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und in einer Vielzahl anderer Anwendungen zu machen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Neuer extrem niedriger Einschaltwiderstand
Fast Switching
Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt
Ohne Leitung