Infineon StrongIRFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 360 A 417 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-9123
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF40SC240ARMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 18,66
(ohne MwSt.)
€ 22,39
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 2 985 Einheit(en) mit Versand ab 26. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 3,732 | € 18,66 |
| 25 - 45 | € 3,172 | € 15,86 |
| 50 - 120 | € 2,95 | € 14,75 |
| 125 - 245 | € 2,762 | € 13,81 |
| 250 + | € 2,536 | € 12,68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9123
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF40SC240ARMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 360A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 366nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 417W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Breite | 9.45mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 360A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 366nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 417W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.4mm | ||
Breite 9.45mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die neuesten 40-V-starken IRFET-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon sind sowohl für hohe Ströme als auch für niedrige RDS(on) optimiert und sind damit die ideale Lösung für batteriebetriebene Anwendungen mit hohem Strom Batterie. Er bietet Entwurfsflexibilität mit Industriestandard-Verpackung. Er ist in der Lage, Störfestigkeit gegen falsches Einschalten in lauten Umgebungen zu bieten.
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
Hohe Strombelastbarkeit
Verwandte Links
- Infineon StrongIRFET N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon StrongIRFET N-Kanal 3-Pin ISOMETRISCH
- Infineon StrongIRFET N-Kanal 3-Pin TO-220