Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
214-9013
Herst. Teile-Nr.:
IPB120N08S404ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS-T2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon OptiMOS-T2-Produktfamilie erweitert die bestehenden OptiMOS-T- und OptiMOS-Familien. Diese OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Die Infineon Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte der geschärften Spannungsregelungsstandards der nächsten Generation in Computeranwendungen zu erfüllen und zu übertreffen. Dies sind robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert

100 % Lawinenprüfung

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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