Infineon OptiMOS P3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 39.6 A 40 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
214-8990
Herst. Teile-Nr.:
BSZ180P03NS3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

39.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS P3

Gehäusegröße

TSDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Verlustleistung Pd

40W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.35 mm

Länge

5.49mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS-Einzel-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs wurden entwickelt, um verbesserte Funktionen zu bieten, die hochwertige Leistungen erfüllen. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Batterie- und Lastschaltung.

Er hat eine Betriebstemperatur von 150 °C.

Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen

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