Infineon OptiMOS P3 BSZ180P03NS3GATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 39,6 A, 8-Pin PQFN 3 x 3
- RS Best.-Nr.:
- 214-8990
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ180P03NS3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- BSZ180P03NS3GATMA1
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Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Die Infineon OptiMOS-Einzel-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs wurden entwickelt, um verbesserte Funktionen zu bieten, die hochwertige Leistungen erfüllen. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Batterie- und Lastschaltung.
Er hat eine Betriebstemperatur von 150 °C.
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 39,6 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | PQFN 3 x 3 |
| Serie | OptiMOS P3 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,018 O |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.1V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
- RS Best.-Nr.:
- 214-8990
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ180P03NS3GATMA1
- Hersteller:
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