onsemi NTMTS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 236 A 3.9 W, 8-Pin TDFN

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RS Best.-Nr.:
214-8905
Herst. Teile-Nr.:
NTMTSC002N10MCTXG
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

236A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

NTMTS

Gehäusegröße

TDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

89nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

3.9W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

8.4mm

Höhe

1.02mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

8.5mm

Automobilstandard

Nein

Die Serie on Semiconductor NTMTS ist ein n-Kanal-MOSFET mit einer Ableitungs-/Quellspannung von 100 V. Es wird in der Regel synchrone Gleichrichtung und DC/DC-Wandlung verwendet.

Bleifrei

RoHS-konform

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