onsemi FCH029N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 75 A 463 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
214-8791
Herst. Teile-Nr.:
FCH029N65S3-F155
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

FCH029N

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

201nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

463W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

These Devices are Pb-Free and are RoHS

Höhe

5.1mm

Breite

21.1 mm

Länge

15.9mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor MOSFET ist eine brandneue Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.

Bleifrei

RoHS-konform

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