Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 10 A, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
214-4469
Herst. Teile-Nr.:
IRL520NSTRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und Robustheit Das Gerätedesign bietet ein zuverlässiges und effizientes Gerät

Er ist für eine Volllawine ausgelegt

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