Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
214-4445
Herst. Teile-Nr.:
IRF2907ZSTRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

270nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er verfügt über eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte wiederholte Lawineneinstufung.

Es ist bleifrei

Er kann wellengelötet werden

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