Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 51 A 82 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
214-4464
Herst. Teile-Nr.:
IRFZ46ZSTRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Maximale Verlustleistung Pd

82W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser starke IRFET-Leistungs-MOSFET von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Er ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.

Er ist für die synchrone Gleichrichtung optimiert

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