Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 320 A 294 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
214-4462
Herst. Teile-Nr.:
IRFS7434TRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

320A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.6mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

324nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

294W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET ist für eine größtmögliche Verfügbarkeit von Verteilungspartnern optimiert. Er verfügt über eine weichere Gehäusediode im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration

Er kann wellengelötet werden

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