Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 87 A 79 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4450
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3709ZSTRRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 214-4450
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3709ZSTRRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 87A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.8mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 79W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 87A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.8mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 79W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon HEXFET MOSFET ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Er ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und erfordern Robustheit
Es verfügt über eine Produktqualifikation nach JEDEC-Standard