Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 93 A 79 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 218-3109
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR3711ZTRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
€ 16,88
(ohne MwSt.)
€ 20,26
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 08. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,844 | € 16,88 |
| 100 - 180 | € 0,802 | € 16,04 |
| 200 - 480 | € 0,769 | € 15,38 |
| 500 - 980 | € 0,735 | € 14,70 |
| 1000 + | € 0,684 | € 13,68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3109
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR3711ZTRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 93A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.8mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 79W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Durchlassspannung Vf | 10V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 93A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.8mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 79W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Durchlassspannung Vf 10V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 20-V-Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Dieses Gerät ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.
Besonders niedrige Gate-Impedanz
Ohne Leitung
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-247