Infineon OptiMOS -T2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 278 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
214-4365
Herst. Teile-Nr.:
IPB120N08S403ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS -T2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

128nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.02mm

Höhe

4.5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.27mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Dieser Infineon OptiMOS T2 MOSFET ist zu 100 % auf Avalanche geprüft und RoHS-konform.

Es ist AEC Q101-zertifiziert

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