Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 313 W, 7-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 214-4364
Herst. Teile-Nr.:: IPB017N10N5LFATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 313 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:: 214-4364
Herst. Teile-Nr.:: IPB017N10N5LFATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	180A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	7
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	195nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	313W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	4.57mm
	Länge	10.31mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 7
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ
	Channel-Modus N
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 195nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 313W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 4.57mm
	Länge 10.31mm
	Automobilstandard Nein

IPB017N10N5LFATMA1 Datasheet

Kombiniert einen niedrigen RDS(on) mit einem großen sicheren Betriebsbereich (SOA)

OptiMOSTM Linear FET ist ein revolutionärer Ansatz zur Vermeidung des Kompromisses zwischen dem Widerstand im eingeschalteten Zustand (R DS(on)) und der linearen Modusfähigkeit – Betrieb im Sättigungsbereich eines erweiterten Modus-MOSFETs. Er bietet den hochmodernen R DS(on) eines Trenn-MOSFETs zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFETs.

Zusammenfassung der Merkmale

•Kombination aus niedrigem R DS(on) und einem großen sicheren Betriebsbereich (SOA)

•Hoher max. Impulsstrom

•Hoher durchgehender Impulsstrom

Vorteile

•Robuster Linearbetrieb

•Geringe Leitungsverluste

•Höherer Einschaltstrom für schnelleres Starten und kürzere Ausfallzeiten

Anwendungsmöglichkeiten

•Telekom

•Batteriemanagement