Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET P 800 V / 3.9 A 31 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
214-4355
Herst. Teile-Nr.:
IPA80R1K4CEXKSA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

CoolMOS CE

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

P

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

31W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

16.15 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.68mm

Höhe

4.85mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon CoolMOSE CE MOSFET verwendet revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs. Die Hochspannungsfähigkeit kombiniert Sicherheit mit Leistung und Robustheit, um stabile Designs auf höchstem Effizienzniveau zu ermöglichen.

Er ist RoHS-konform

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