STMicroelectronics STD11N60M6 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 8 A 90 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
212-2105
Herst. Teile-Nr.:
STD11N60M6
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

STD11N60M6

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

500mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

90W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.2mm

Höhe

2.4mm

Länge

6.6mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

MDmesh M6 MOSFET N-CH


Die STMicroelectronics MDmesh M6-Technologie umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten Mdmesh Familie von SJ MOSFETs. Er baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei Endanwendungen.

Geringere Schaltverluste

Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Zenerdioden-geschützt

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.