Toshiba TK099V65Z Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 230 W, 5-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
206-9730
Herst. Teile-Nr.:
TK099V65Z,LQ(S
Hersteller:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

DFN

Serie

TK099V65Z

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.7V

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

8 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

8mm

Höhe

0.5mm

Automobilstandard

Nein

Der Toshiba Silizium-N-Kanal-MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit geringerer Kapazität. Er wird hauptsächlich in Schaltnetzteilen verwendet.

Niedriger Durchlasswiderstand der Quelle 0,08?

Lagertemperatur: -55 bis 150 °C.

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