STMicroelectronics STO67N60DM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 150 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
206-8631
Herst. Teile-Nr.:
STO67N60DM6
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

STO67N60DM6

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

59mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

72.5nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

9.8 mm

Länge

11.48mm

Höhe

2.2mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Erholungs-Diodenserie MDmesh DM6. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.

Gehäusediode mit schneller Erholung

Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

Zenerdioden-geschützt

Ausgezeichnete Schaltleistung dank des zusätzlichen Treiber-Quellstifts

Verwandte Links