DiodesZetex DMTH10 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 20.1 kA 2.7 W, 8-Pin PowerDI5060

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
206-0159
Herst. Teile-Nr.:
DMTH10H4M5LPS-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20.1kA

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerDI5060

Serie

DMTH10

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.7W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.15mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.15 mm

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex 100 V wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten. Dieses Gerät ist ideal für den Einsatz in der Notebook-Akkuverwaltung und im Lastschalter. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,7 W Wärmeverlustleistung.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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