DiodesZetex DMT6006 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 98 A 2.45 W, 8-Pin PowerDI5060

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RS Best.-Nr.:
206-0148
Herst. Teile-Nr.:
DMT6006SPS-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

98A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DMT6006

Gehäusegröße

PowerDI5060

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

2.45W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27.9nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.15mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.15mm

Höhe

900μm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 60 V, wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,45 W Wärmeverlustleistung.

Niedriger RDS(ON) - sorgt dafür, dass die Verluste im eingeschalteten Zustand minimiert werden

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