DiodesZetex DMT6006 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 98 A 2.45 W, 8-Pin PowerDI5060

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RS Best.-Nr.:
206-0150
Herst. Teile-Nr.:
DMT6006SPS-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

98A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerDI5060

Serie

DMT6006

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27.9nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

2.45W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.15 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.15mm

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 60 V, wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,45 W Wärmeverlustleistung.

Niedriger RDS(ON) - sorgt dafür, dass die Verluste im eingeschalteten Zustand minimiert werden

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