DiodesZetex Doppelt DMNH6035 Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 33 A 68 W, 8-Pin PowerDI5060

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RS Best.-Nr.:
206-0096
Herst. Teile-Nr.:
DMNH6035SPDW-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerDI5060

Serie

DMNH6035

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

44mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.75V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

4.9mm

Höhe

1.05mm

Breite

5.8 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

Ursprungsland:
CN
Der DiodesZetex-N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit 60 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,4 W Wärmeverlustleistung.

Ausgelegt für +175 °C ist ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen

Niedrige Qg - minimiert Schaltverluste

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