onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 139 A 214 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
205-2458
Herst. Teile-Nr.:
NTP5D0N15MC
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

139A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

75nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.66mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

27.6mm

Breite

9.66mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor-MOSFET mit geschirmtem Gate-LeistungsTrench-N-Kanal hat eine Nennspannung von 150 V in Abfluss zur Quelle und einen Dauerstromstrom von 139 A. Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform.

Der Widerstand zwischen Drain und Quelle bei eingeschaltetem Zustand beträgt 5,0 MOhm

50 % geringerer Qrr als andere MOSFET-Lieferanten

Niedriges Schaltgeräusch/EMI

100 % UIL-geprüft

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