onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 11.4 A 56.8 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 3,19

(ohne MwSt.)

€ 3,83

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Die letzten 1 660 Einheit(en) mit Versand ab 05. März 2026
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +€ 0,319€ 3,19

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
809-0938
Herst. Teile-Nr.:
FDD770N15A
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

77mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

56.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.25V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

2.39mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links