Vishay SiDR680ADP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 137 A 125 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 204-7258
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR680ADP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 137A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SiDR680ADP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.88mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.9mm | |
| Höhe | 0.51mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 137A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SiDR680ADP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.88mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.9mm | ||
Höhe 0.51mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat einen sehr niedrigen RDS - Qg Leistungszahl (FOM) und ist auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM abgestimmt.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
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