Vishay SiR870BDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 81 A 100 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 30,08

(ohne MwSt.)

€ 36,10

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 27. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40€ 3,008€ 30,08
50 - 90€ 2,41€ 24,10
100 - 240€ 2,119€ 21,19
250 - 490€ 2,064€ 20,64
500 +€ 2,014€ 20,14

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
204-7224
Herst. Teile-Nr.:
SiR870BDP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

81A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SiR870BDP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.26mm

Höhe

6.25mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 100 V (D-S) MOSFET hat einen sehr niedrigen RDS x Qg-Leistungsfaktor (FOM) und ist auf den niedrigsten RDS x Qoss FOM abgestimmt.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links