Vishay SiHB105N60EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 208 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 12,11

(ohne MwSt.)

€ 14,53

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 14. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20€ 2,422€ 12,11
25 - 45€ 1,96€ 9,80
50 - 120€ 1,908€ 9,54
125 - 245€ 1,862€ 9,31
250 +€ 1,814€ 9,07

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
204-7205
Herst. Teile-Nr.:
SIHB105N60EF-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SiHB105N60EF

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

102mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

208W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

53nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Höhe

15.88mm

Breite

4.83 mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET Vishay Serie EF mit schneller Gehäusediode hat eine Technologie der 4. Generation der E-Serie. Sie hat geringere Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er)

Verwandte Links