Vishay SiR626ADP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 165 A 104 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 17,06

(ohne MwSt.)

€ 20,47

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 08. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 40€ 1,706€ 17,06
50 - 90€ 1,364€ 13,64
100 - 240€ 1,194€ 11,94
250 - 490€ 1,072€ 10,72
500 +€ 1,045€ 10,45

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
204-7200
Herst. Teile-Nr.:
SiR626ADP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

165A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiR626ADP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

83nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.12 mm

Länge

5.26mm

Höhe

6.25mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET ist auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM abgestimmt.

Gehäuse Power PAK SO-8

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Verwandte Links