onsemi NTTF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 30 V / 96 A 50 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 202-5723
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS008P03P8Z
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 96A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | NTTF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.8mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 134nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 96A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie NTTF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.8mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 134nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor Single-P-Kanal-MOSFET läuft auf -30 Volt und -96 Ampere. Er kann am Lastschalter, Schutz für Rückstrom, Überspannung und negative Rückspannung, Batterieverwaltungsanwendungen verwendet werden.
Platzsparend
Ausgezeichnete Wärmeleitung
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-konform