STMicroelectronics ST N-Kanal, THT MOSFET-Modul 600 V / 38 A, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
202-5550
Herst. Teile-Nr.:
STWA65N60DM6
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

38 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

ST

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

0,06 Ω

Channel-Modus

Depletion

Gate-Schwellenspannung max.

4.75V

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmeshTM DM6-Schnellwiederherstellungsdioden-Serie. Im Vergleich zur früheren MDmesh-Schnellgeneration kombiniert der DM6 eine sehr niedrige Erholungsladung (Qrr), Erholungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhaltensweisen auf dem Markt.

100 % Avalanche-getestet

Zener-geschützt

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