STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Entleerung / 30 A 40 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 202-5513
- Herst. Teile-Nr.:
- STF36N60M6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 13,54
(ohne MwSt.)
€ 16,24
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 80 Einheit(en) mit Versand ab 24. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 6,77 | € 13,54 |
| 20 - 48 | € 6,17 | € 12,34 |
| 50 + | € 5,135 | € 10,27 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 202-5513
- Herst. Teile-Nr.:
- STF36N60M6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | ST | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.085Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44.3nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 30.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie ST | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.085Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44.3nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 30.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die neue M6-Technologie STMicroelectronics MDmesh TM umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten Mdmesh Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut mit seiner neuen M6-Technologie auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf.
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics ST Typ N-Kanal 3-Pin TO-263