STMicroelectronics ST Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Entleerung / 25 A 190 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
202-5495
Herst. Teile-Nr.:
STB33N60DM6
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

ST

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.115Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

190W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

15.85mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.6 mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Wiederherstellungs-DM6-Diodenserie MDmesh TM. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.

Extrem hohe dv/dt-Robustheit

Zenerdioden-geschützt

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