STMicroelectronics ST N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Entleerung / 25 A 190 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 202-5495
- Herst. Teile-Nr.:
- STB33N60DM6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
€ 3.134,00
(ohne MwSt.)
€ 3.761,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 08. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | € 3,134 | € 3.134,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 202-5495
- Herst. Teile-Nr.:
- STB33N60DM6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | ST | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.115Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15.85mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie ST | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.115Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15.85mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Wiederherstellungs-DM6-Diodenserie MDmesh TM. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt erhältlich ist.
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics ST N-Kanal 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics ST N-Kanal 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics ST N-Kanal 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics ST N-Kanal 4-Pin TO-247
- STMicroelectronics ST N-Kanal 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics ST N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics ST N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics ST N-Kanal 4-Pin TO-247