Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 92.5 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

€ 27,10

(ohne MwSt.)

€ 32,525

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 28. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 100€ 1,084€ 27,10
125 - 225€ 0,867€ 21,68
250 - 600€ 0,759€ 18,98
625 - 1225€ 0,65€ 16,25
1250 +€ 0,618€ 15,45

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
200-6855
Herst. Teile-Nr.:
SiSS22LDN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

92.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

3.3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.3 mm

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SISs22LDN-T1-GE3 ist ein N-Kanal-60-V-(D-S)-MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM

100 % Rg- und UIS-getestet

Verwandte Links