Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 92.5 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
200-6855
Herst. Teile-Nr.:
SiSS22LDN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

92.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET Gen IV

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

3.3mm

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SISs22LDN-T1-GE3 ist ein N-Kanal-60-V-(D-S)-MOSFET.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM

100 % Rg- und UIS-getestet

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