Vishay EF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 36 A 202 W, 5-Pin PowerPAK 8 x 8

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RS Best.-Nr.:
200-6831
Herst. Teile-Nr.:
SIHH070N60EF-T1GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8

Serie

EF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

71mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

75nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

202W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.05 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

8.1mm

Länge

8.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay SIHH070N60EF-T1GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie EF mit schneller Gehäusediode.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedrige Leistungszahl

Niedrige effektive Kapazität

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

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