Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 4.3 A 29 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 200-6807
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHA690N60E-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | € 1,508 | € 37,70 |
| 125 - 225 | € 1,463 | € 36,58 |
| 250 - 600 | € 1,417 | € 35,43 |
| 625 - 1225 | € 1,367 | € 34,18 |
| 1250 + | € 1,332 | € 33,30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 200-6807
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHA690N60E-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 29W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 13.8mm | |
| Länge | 10.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 29W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.7 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 13.8mm | ||
Länge 10.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay SiHA690N60E-GE3 ist ein Leistungs-MOSFET der Serie E.
Technologie der 4. Generation der E-Serie
Niedrige Leistungszahl
Niedrige effektive Kapazität
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)