STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET Transistor / 25 A 160 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
192-4952
Herst. Teile-Nr.:
STP26N65DM2
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

25 A

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

190 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

160 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±25 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

35,5 nC @ 10 V

Breite

4.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.4mm

Diodendurchschlagsspannung

1.6V

Höhe

15.75mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit hoher Spannung ist Teil der MDmesh TM DM2-Diode mit schneller Erholung. Es bietet eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr) und -zeit (trr) in Kombination mit niedrigem RDS(on), wodurch es für die anspruchsvollsten hocheffizienten Wandler geeignet ist und ideal für Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler ist.

Gehäusediode mit schneller Erholung
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt

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