STMicroelectronics STB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
192-4936
Herst. Teile-Nr.:
STB18N60M6
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

STB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.8nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Breite

9.35 mm

Höhe

4.37mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die neue M6-Technologie von MDmesh umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten MDmesh-Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei der Endanwendung.

Geringere Schaltverluste

Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

Zenerdioden-geschützt

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