- RS Best.-Nr.:
- 188-8476
- Herst. Teile-Nr.:
- STGP8NC60KD
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 188-8476
- Herst. Teile-Nr.:
- STGP8NC60KD
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Dieser IGBT nutzt den Advanced PowerMESH TM-Prozess, was zu einem ausgezeichneten Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten führt.
Niedriger Spannungsabfall (VCE(sat))
Sehr weiche antiparallele Diode mit ultraschneller Erholung
Niedrigeres CRES/CIES-Verhältnis (keine Kreuzleitungsanfälligkeit)
Kurzschlussfestigkeit: 10 μs
Anwendungen
Motorsteuerungen mit hoher Frequenz
SMPS und PFC in harten Switch- und Resonanztopologien
Motortreiber
Sehr weiche antiparallele Diode mit ultraschneller Erholung
Niedrigeres CRES/CIES-Verhältnis (keine Kreuzleitungsanfälligkeit)
Kurzschlussfestigkeit: 10 μs
Anwendungen
Motorsteuerungen mit hoher Frequenz
SMPS und PFC in harten Switch- und Resonanztopologien
Motortreiber
Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 6.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 4.5V |
Verlustleistung max. | 65 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 4.6mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
Länge | 10.4mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Höhe | 15.75mm |
Diodendurchschlagsspannung | 2.1V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |