STMicroelectronics, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 65 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
188-8292
Herst. Teile-Nr.:
STGP8NC60KD
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

2.1V

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Höhe

15.75mm

Automobilstandard

Nein

Dieser IGBT nutzt den Advanced PowerMESH TM-Prozess, was zu einem ausgezeichneten Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten führt.

Niedriger Spannungsabfall (VCE(sat))

Sehr weiche antiparallele Diode mit ultraschneller Erholung

Niedrigeres CRES/CIES-Verhältnis (keine Kreuzleitungsanfälligkeit)

Kurzschlussfestigkeit: 10 μs

Anwendungen

Motorsteuerungen mit hoher Frequenz

SMPS und PFC in harten Switch- und Resonanztopologien

Motortreiber

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