STMicroelectronics STP12NM50 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 12 A 160 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 188-8473P
- Herst. Teile-Nr.:
- STB12NM50T4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | STP12NM50 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 350mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160W | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 4.37mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie STP12NM50 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 350mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160W | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 4.37mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MDmesh ist eine neue revolutionäre MOSFET-Technologie, die den Mehrfachablassprozess mit dem horizontalen Layout des Unternehmens PowerMESH' verbindet. Das resultierende Produkt verfügt über eine hervorragende geringe Einschaltbeständigkeit, beeindruckend hohe dv/dt und ausgezeichnete Lawineneigenschaften. Die Einführung der proprietären Streifentechnik des Unternehmens sorgt für eine insgesamt dynamische Leistung.
Hohe dv/dt- und Lawinenfähigkeit
Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
Enge Prozesssteuerung und hohe Fertigungserträge
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Anwendungen
Schaltanwendung