STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 710 V / 7 A 70 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
188-8467
Herst. Teile-Nr.:
STD8N65M5
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

710V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

70W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.6mm

Höhe

2.17mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Bei diesen Geräten handelt es sich um N-Kanal-MDmesh ® V-Leistungs-MOSFETs, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Prozesstechnologie basieren, die mit der bekannten horizontalen PowerMESH TM-Layoutstruktur von STMicroelectronics kombiniert wird. Das resultierende Produkt verfügt über einen extrem niedrigen Betriebswiderstand, der bei Silizium-basierten Leistungs-MOSFETs unerreicht ist, wodurch es sich besonders für Anwendungen eignet, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.

Weltweit bester RDS(on)-Bereich

Höhere VDSSrating

Hohe DV/DT-Fähigkeit.

Ausgezeichnetes Schaltvermögen

Leicht zu fahren

Anwendungen

Schaltanwendungen

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