Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 20 A 27 W, 8-Pin PowerPAK SO-8L

RS Best.-Nr.:: 188-4918
Herst. Teile-Nr.:: SQJA42EP-T1_GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 20 A 27 W, 8-Pin PowerPAK SO-8L

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RS Best.-Nr.:: 188-4918
Herst. Teile-Nr.:: SQJA42EP-T1_GE3
Hersteller:: Vishay

Datasheet SQJA42EP-T1_GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8L
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	16 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.3V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	27 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Breite	4.47mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	22 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Automobilstandard	AEC-Q101
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.01mm

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 20 A 27 W, 8-Pin PowerPAK SO-8L

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