Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 30 A 27 W, 4-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
210-5049
Herst. Teile-Nr.:
SQJ912DEP-T1_GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.79V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

27W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

No

Länge

4.9mm

Höhe

1.07mm

Breite

4.37 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der zweifache N-Kanal-MOSFET Vishay Automotive 40 V (D-S) 175 °C hat das Gehäuse PowerPAK SO-8L.

TrenchFET® Leistungs-MOSFET

AEC-Q101-qualifiziert

100 % Rg- und UIS-geprüft

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